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技术资料

昆山迈拓瑞和能源材料科技---热等静压和气压烧结氮化硅性能比较

作者: 超级管理员 时间:2022-10-05 16:24:39 阅读:827

热等静压氮化硅和气压/冷等静压烧结氮化硅性能比较

HIP Silicon Nitride VS GPS Silicon Nitride

 

基本数据Basic Data

气压烧结GPS

热等静压HIP

密度Density

g/cm3

3.22~3.26

3.24~3.26

吸水率Water Absorption

%

0

0

力学性能

Mechanical Characteristics

维氏硬度Vickers Hardness (Load 5KG)

Gpa

14.5

15

抗弯强度Flexural Strength

Mpa

700

1000

抗压强度Compressive Strength

Mpa

3200

3900

杨氏模量Young’s Modulus of Elasticity

Gpa

310

310

泊松比Poisson’s Ratio

-

0.28

0.28

断裂韧性Fracture Toughness

Mpa·m1/2

6-7

7

热学性能

Thermal Characteristics

热膨胀系数

Coefficient of Thermal   Expansion

40-400

*10-6/°C

3.2~3.4

3.5

热导率Thermal Conductivity

20 °C

W(m·K)

18~22

23

电学性能

Electrical Characteristics

Volume Resistivity

20 °C

Ω·cm

≥1014

≥1014

Dielectric Constant (1MHz)

-

-

-

热等静压HIP=Hot Isostatic Pressed

气压烧结+冷等静压GPS=Gas Press Sintered(Cold Isostatic)


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